Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4835BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4835BDY
SI4835BDY-T1-E3 Hakkında
SI4835BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj aralığında 7.4A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu komponent, 8-SOIC yüzey montajlı paket tipinde sunulmaktadır. 18mOhm (10V, 9.6A koşullarında) on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Gate threshold voltajı 3V (250µA) seviyesinde ayarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 1.5W maksimum güç tüketimi ile güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Vgs maksimum ±25V ile geniş kapı voltaj aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok