Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4833BDY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4833
SI4833BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4833BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim değerine sahip olup, 4.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 68mOhm RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyot içeren tasarımı, geri dönüş diyotu gerektirmeyen devrelerde tercih edilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde tedarik edilir. Güç yönetimi, motor sürücüsü, DC-DC konverter ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok