Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4833ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4833ADY
SI4833ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4833ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ve 4.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 72mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sunar. Schottky diyot izolasyonu içeren tasarımı, anahtarlama hızını artırır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığını destekler. Güç amplifikatörleri, motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok