Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4833ADY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4833ADY
SI4833ADY-T1-E3 Hakkında
SI4833ADY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltaj ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot entegrasyonu sayesinde geri dönüş zamanını iyileştirir. 72mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulmaktadır. Motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun özelliklere sahiptir. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok