Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4831DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4831DY
SI4831DY-T1-E3 Hakkında
SI4831DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 45mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Entegre Schottky diyotu (izole) sayesinde anahtarlama hızını iyileştirir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlı güç kaynakları ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Maksimum 2W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok