Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4831BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4831BDY
SI4831BDY-T1-E3 Hakkında
SI4831BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.6A sürekli dren akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, 42mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gömülü Schottky diyot özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve maksimum 3.3W güç tüketebilen bu FET, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete (üretilmemekte) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok