Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4829DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4829DY
SI4829DY-T1-GE3 Hakkında
SI4829DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 2A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, 215mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyot özelliği ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve analog/dijital anahtarlamada tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 2W (Ta) ve 3.1W (Tc) güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 8nC gate charge ve 210pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok