Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4829DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4829DY
SI4829DY-T1-E3 Hakkında
SI4829DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim ile 2A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. İzole Schottky diyot özelliği ile donatılmış olup, maksimum 215mOhm on-resistance değerine (4.5V Vgs'de) sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj motor kontrol sistemlerinde kullanım için uygundur. Maksimum 2W (Ta) güç tüketim kapasitesi ile sınırlı güç uygulamalarında tercih edilebilir. (Not: Bu parça sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok