Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4825DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4825DY
SI4825DY-T1-E3 Hakkında
SI4825DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 8.1A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 14mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtar devreler, güç yönetimi uygulamaları ve reversing kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate-source sürücü voltajında optimal performans gösterir. Şu anda üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok