Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4825DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4825DDY
SI4825DDY-T1-GE3 Hakkında
SI4825DDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ile 14.9A sürekli drain akımı sağlayabilen yüksek entegreli bir anahtarlama elemanıdır. 12.5mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı ile çalışır. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, invertör devreleri, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Gate charge değeri 86nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok