Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4823DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4823DY
SI4823DY-T1-GE3 Hakkında
SI4823DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source geriliminde 4.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 108mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç kayıpları sağlar. Schottky diyot entegrasyonu sayesinde geri akım koruması sunar. Surface Mount 8-SOIC paket tipi ile PCB'ye doğrudan montajı yapılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans verir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve düşük gerilim dağıtım uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok