Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4812BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4812BDY
SI4812BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4812BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 7.3A sürekli dren akımı sağlar. 16mOhm (10V, 9.5A) düşük RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi yapılabilir. 8-SOIC surface mount paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 13nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır. Güç yönetimi, motor kontrol, AC/DC konverterler, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün life cycle sonunda olup, yeni tasarımlarda alternatif seçilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok