Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4800BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4800BDY
SI4800BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4800BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 18.5mOhm maksimum on-direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüler ve diğer switchmode güç uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok