Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4800BDY
SI4800BDY-T1-E3 Hakkında
SI4800BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 6.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 18.5mOhm düşük on-direnci (RDS(on)) sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan geniş işletme sıcaklık aralığına sahiptir. Gate yükü 5V'de 13nC olarak belirlenmiştir. Maksimum 1.3W güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±25V maksimum gate-source voltajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok