Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
SI4800

SI4800,518 Hakkında

SI4800,518, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, 18.5mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate yükü 5V'de 11.8nC, gate eşik gerilimi ise 250µA'de 800mV'dur. Maksimum 2.5W güç tüketebilen bu MOSFET, düşük sinyal gerilimi ve hızlı anahtarlama özelliği ile motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Pil yönetim sistemleri, güç kaynaklarında ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanımı uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok