Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4778DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4778DY
SI4778DY-T1-E3 Hakkında
SI4778DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile gelen komponent, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 23mOhm RDS(on) değeri ile elektrik kayıplarını düşük tutarken, 4.5V ve 10V drive gerilimlerinde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan komponent, SMPS, motor kontrol, LED sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 18nC gate yükü ve 680pF giriş kapasitansi, hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilmesini sağlar. (Mevcut olmayan ürün - Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok