Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4774DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4774DY
SI4774DY-T1-GE3 Hakkında
SI4774DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Gövde içinde Schottky diyot bulunması, ters akım koruması sağlar. 9.5mΩ @ 10A, 10V on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sunar. Surface mount 8-SOIC paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 5W güç saçabilme kapasitesine sahip transistör, endüstriyel ve otomotiv alanlarında tercih edilmiştir. Parça üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, veri sayfası referans alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1025 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok