Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4752DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4752DY
SI4752DY-T1-GE3 Hakkında
SI4752DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Schottky diyot entegrasyonlu body yapısıyla düşük reverse recovery zamanı sağlar. 5.5mOhm (10V, 10A) RDS(on) değeriyle enerji verimliliği yüksektir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. 8-SOIC SMD paket içinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve DC-DC konverterlerde kullanılır. 43nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar. Not: Ürün Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok