Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4688DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4688DY
SI4688DY-T1-GE3 Hakkında
SI4688DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.9A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (11mΩ @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4688DY, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi ve motorların kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak tercih edilir. (Not: Üretim durdurulmuş ürün)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1580 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok