Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4686DY
SI4686DY-T1-E3 Hakkında
SI4686DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 18.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 9.5mOhm düşük on-state direnci ile güç uygulamalarında verimli çalışır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücü ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 5.2W güç yayabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 5.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok