Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4682DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4682DY
SI4682DY-T1-GE3 Hakkında
SI4682DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile compact tasarımlar için uygundur. 10V gate geriliminde 9.4mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılmaktadır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1595 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok