Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4682DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4682DY
SI4682DY-T1-E3 Hakkında
SI4682DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 16A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 9.4mΩ on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan SI4682DY-T1-E3, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarları ve gümrük uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (38nC) ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama gereksinimlerini karşılar. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1595 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok