Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4660DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4660DY
SI4660DY-T1-GE3 Hakkında
SI4660DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajında 23.1A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 5.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlayarak güç uygulamalarında verimli çalışma sunar. 45nC gate charge ve 2410pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri, güç dağıtım sistemleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında görev yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok