Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4660DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4660DY
SI4660DY-T1-E3 Hakkında
SI4660DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 23.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5.8mΩ (10V/15A koşullarında) düşük RDS(on) değeri sayesinde güç kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. 45nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok