Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4654DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4654DY
SI4654DY-T1-GE3 Hakkında
SI4654DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 28.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu FET, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, hızlı kesme/açma özelliği gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok