Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4654DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4654DY

SI4654DY-T1-E3 Hakkında

SI4654DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 28.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4mΩ (10V, 15A'de) düşük on-direnci sayesinde güç kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile PCB alanından tasarruf sağlar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. Ürün artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok