Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4646DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4646DY
SI4646DY-T1-GE3 Hakkında
SI4646DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 12A sürekli dren akımı sunmaktadır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde tedarik edilir. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 10A dren akımında 11.5 mOhm olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate şarj 45 nC (10V'de) olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygunudur. Güç yönetimi, anahtarlı regülatörler, DC-DC konvertörler ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır. Maksimum güç tüketimi 3W (Ta)'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1790 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok