Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4634DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4634DY
SI4634DY-T1-GE3 Hakkında
SI4634DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 24.5A sürekli dren akımını işleyebilen yüksek akım kapasitesine sahiptir. 5.2mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 10V gate geriliminde 68nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 2.5W (Ta) ve 5.7W (Tc) güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok