Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4630DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4630DY
SI4630DY-T1-E3 Hakkında
SI4630DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 40A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (2.7mΩ @ 20A, 10V) özellikleriyle güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V kapı geriliminde 161nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6670 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok