Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4626ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4626ADY
SI4626ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4626ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.3mΩ düşük on-resistance değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrollerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5370 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok