Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4626ADY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 30A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4626ADY

SI4626ADY-T1-E3 Hakkında

SI4626ADY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 3.3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç dönüştürme, anahtarlama devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate voltaj toleransı ve 125nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5370 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok