Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4621DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4621DY
SI4621DY-T1-E3 Hakkında
SI4621DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 6.2A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzeye monte paket türünde sunulan bu komponent, 10V kapı voltajında 54mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyodlu tasarımı sayesinde anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yüksek güvenilirlik sunar. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok