Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4620DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4620DY
SI4620DY-T1-GE3 Hakkında
SI4620DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 6A (Ta) / 7.5A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile şalteleme ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyot özelliğine sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance (35mOhm @ 6A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimumda tutar. Surface mount 8-SOIC paket içinde sunulan SI4620DY, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı elektronik tasarımlarda yaygın olarak uygulanır. Bileşen artık üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1040 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok