Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4493DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4493DY
SI4493DY-T1-GE3 Hakkında
SI4493DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, 4.5V gate geriliminde 7.75mΩ istatik direnca sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük-sinyal kontrol sistemlerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C arası) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun kılmaktadır. Maksimum 1.5W güç tüketimi desteği ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.75mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok