Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4493DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4493

SI4493DY-T1-E3 Hakkında

SI4493DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 7.75mOhm (4.5V, 14A) on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC konverterler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün günümüzde üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.75mOhm @ 14A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok