Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4491EDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4491EDY
SI4491EDY-T1-GE3 Hakkında
SI4491EDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 17.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.5mOhm (10V, 13A'de) düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. LED sürücü devreleri, güç kaynakları, batarya yönetimi ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4620 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok