Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4490DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4490DY
SI4490DY-T1-GE3 Hakkında
SI4490DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 2.85A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate voltajında 80mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 42nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.85A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok