Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4488DY-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4488DY

SI4488DY-T1-E3 Hakkında

SI4488DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 3.5A sürekli drain akımı sağlar. 50mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan SI4488DY, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel denetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, 36nC gate charge değeri ve ±20V Vgs toleransı ile güvenilir ve verimli operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok