Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4487DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4487DY
SI4487DY-T1-GE3 Hakkında
SI4487DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 11.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve DC-DC konverterlerinde kullanılır. 20.5mΩ maksimum RDS(on) değeri (10V kapı geriliminde) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 36nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün üretimi durdurulmuş ancak satışa sunulan stoklar mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1075 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok