Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4486EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4486EY
SI4486EY-T1-E3 Hakkında
SI4486EY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source geriliminde 5.4A sürekli drenaj akımı sağlayan bu komponent, 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı özellikleri taşır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile sunulan cihaz, -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 44nC gate charge ve 2V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Güç uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronik devrelerinde kullanılır. Komponent şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok