Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4484EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4484EY
SI4484EY-T1-GE3 Hakkında
SI4484EY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ile 4.8A sürekli dren akımını destekler. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 34mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 30nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok