Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4483EDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4483EDY
SI4483EDY-T1-GE3 Hakkında
SI4483EDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli iletkenlik sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır. Maksimum 1.5W güç saçma kapasitesi vardır ve ±25V gate-source gerilimi tolerans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok