Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4483EDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4483EDY

SI4483EDY-T1-E3 Hakkında

SI4483EDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 10A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8.5mOhm (10V, 14A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, load switching ve ses amplifikatör uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün üretimi durdurulmuş olup, yerini daha yeni versiyonlar almıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok