Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4483ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4483ADY
SI4483ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4483ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 19.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.8mOhm on-resistance değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate voltajı ±25V'ye kadar dayanır ve 2.6V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. DC-DC dönüştürücüler, güç dağıtım sistemleri, pil yönetimi ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok