Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4480DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4480DY
SI4480DY-T1-E3 Hakkında
SI4480DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 35mOhm'luk düşük on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.5W güç tüketebilir. Gate charge değeri 50nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. (Not: Bu ürün artık üretim dışıdır)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok