Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4477DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4477DY
SI4477DY-T1-GE3 Hakkında
SI4477DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 26.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 6.2mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 190nC ve input capacitance 4600pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve switching power supplies gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 18A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok