Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4472DY-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4472DY
SI4472DY-T1-E3 Hakkında
SI4472DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltajı ve 7.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 45mOhm (10V, 5A) on-state resistance değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum gate voltajı ±20V'dur. Not: Bu ürün üretim dışındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1735 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok