Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4470EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4470EY
SI4470EY-T1-GE3 Hakkında
SI4470EY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 11mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve ±20V gate gerilim toleransı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.85W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok