Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4470EY-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4470EY

SI4470EY-T1-E3 Hakkında

SI4470EY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak gerilimi ve 9A sürekli dren akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 11mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur. Ancak bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.85W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok