Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4467DY
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4467
SI4467DY Hakkında
SI4467DY, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 13.5A sürekli drain akımına sahip olan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.5mΩ maksimum on-direnci (4.5V Vgs'de) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, 1.2W maksimum güç saçılımı ile tasarlanmıştır. 120nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan SI4467DY, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8237 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok